[发明专利]具有局部P型帽层的晶体管器件

摘要

本发明提供一种具有局部P型帽层的晶体管器件包括衬底、过渡层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上方的源极、栅极、漏极和P型帽层，P型帽层包括至少一个第一P型区和至少一个第二P型区，第一P型区和第二P型区邻接且均位于栅极和漏极之间，自栅极至漏极，首个第一P型区与源极电连接；第一P型区中P型杂质的掺杂面浓度大于第二P型区中P型杂质的掺杂面浓度，同时大于第一P型区下方的二维电子气面浓度，第二P型区中P型杂质的掺杂面浓度小于第二P型区下方的二维电子气面浓度。本发明的晶体管器件可以将栅极边缘的一个电场峰较高的高电场区分解成多个电场峰较低的高电场区，提高了晶体管器件的击穿电压、可靠性和动态特性。

主权项

1.具有局部P型帽层的晶体管器件，所述晶体管器件包括衬底、过渡层、沟道层、势垒层；其特征在于：所述晶体管器件还包括位于所述势垒层上方的源极、栅极、漏极和P型帽层，所述P型帽层包括至少一个第一P型区和至少一个第二P型区，所述第一P型区和所述第二P型区邻接，所述第一P型区和所述第二P型区均位于所述栅极和所述漏极之间，自所述栅极至所述漏极，首个第一P型区与所述源极电连接；所述第一P型区中P型杂质的掺杂面浓度大于所述第二P型区中P型杂质的掺杂面浓度，所述第一P型区中P型杂质的掺杂面浓度大于所述第一P型区下方的二维电子气面浓度，所述第二P型区中P型杂质的掺杂面浓度小于所述第二P型区下方的二维电子气面浓度；所述势垒层上形成有介质层，所述第一P型区、所述第二P型区、所述源极、所述栅极以及所述漏极均位于所述介质层与所述势垒层之间，所述介质层上设有金属层，所述金属层将所述源极与所述首个第一P型区电连接；所述介质层在所述源极的上方开设有第一通孔，所述介质层在所述首个第一P型区的上方开设有第二通孔；所述金属层包括第一延伸部、第二延伸部以及连接在所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的连接部，所述第一延伸部插入所述第一通孔并与所述源极相连接，所述第二延伸部插入所述第二通孔并与所述首个第一P型区相连接；所述金属层还包括第三延伸部，所述第三延伸部平行于所述连接部并沿着所述介质层的上表面自所述第二延伸部向靠近所述漏极的一侧延伸。