[发明专利]磁阻效应器件有效
| 申请号： | 201710896926.7 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107887503B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种安装有耐电压性优异的磁阻效应元件的磁阻效应器件。该磁阻效应器件具备贯通层间绝缘层和上述层间绝缘层且至少在一面露出的贯通电极、层叠于上述贯通电极上的磁阻效应元件，层叠上述磁阻效应元件的层叠面上的上述层间绝缘层和上述贯通电极的维氏硬度差为3GPa以下。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 器件 | ||
【主权项】：
一种磁阻效应器件，其具备：层间绝缘层；贯通电极，其贯通所述层间绝缘层，至少在一面露出；和磁阻效应元件，其被层叠于所述贯通电极上，层叠所述磁阻效应元件的层叠面上的所述层间绝缘层和所述贯通电极的维氏硬度差为3GPa以下。
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