[发明专利]磁存储器和存储器系统有效
| 申请号： | 201710900091.8 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN108091358B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 野口纮希;藤田忍 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 邹丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及磁存储器和存储器系统。根据一个实施例，磁存储器包括：具有第一电阻状态或第二电阻状态的第一磁阻效应元件；以及读取电路。读取电路被配置为：将第一读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第一读取电压造成的第一充电电位，将高于第一读取电压的第二读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第二读取电压造成的第二充电电位，以及基于第一充电电位与第二充电电位之间的比较结果来确定第一磁阻效应元件是处于第一电阻状态还是处于第二电阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 存储器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，包括：第一磁阻效应元件，所述第一磁阻效应元件具有第一电阻状态或第二电阻状态；以及读取电路，所述读取电路被配置为：将第一读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第一读取电压造成的第一充电电位，将高于第一读取电压的第二读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第二读取电压造成的第二充电电位，以及基于第一充电电位与第二充电电位之间的比较结果来确定第一磁阻效应元件是处于第一电阻状态还是第二电阻状态。
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