[发明专利]半导体器件和半导体封装件有效
| 申请号： | 201710906538.2 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107887429B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 那须贤太郎;西田健志 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/735;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：增强型第一p沟道型MISFET；增强型第二p沟道型MISFET；与所述第一p沟道型MISFET和所述第二p沟道型MISFET的漏极公共地电连接的漏极导体；与所述第一p沟道型MISFET的源极电连接的第一源极导体；与所述第二p沟道型MISFET的源极电连接的第二源极导体；和与所述第一p沟道型MISFET和所述第二p沟道型MISFET的栅极公共地电连接的栅极导体。由此能够提供常导通型的可实现元件的小型化的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：增强型的第一p沟道型MISFET；增强型的第二p沟道型MISFET；与所述第一p沟道型MISFET和所述第二p沟道型MISFET的漏极公共地电连接的漏极导体；与所述第一p沟道型MISFET的源极电连接的第一源极导体；与所述第二p沟道型MISFET的源极电连接的第二源极导体；和与所述第一p沟道型MISFET和所述第二p沟道型MISFET的栅极公共地电连接的栅极导体。
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