[发明专利]数据读取方法以及存储控制器在审
申请号: | 201710907831.0 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN109584935A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 萧又华 | 申请(专利权)人: | 大心电子(英属维京群岛)股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/06;G11C16/34 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 维尔京群岛托托拉岛路德镇法兰西斯*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供适用于可复写式非易失性存储器模块的一种数据读取方法以及存储控制器。所述方法包括识别对应第一实体单元的多个第一存储单元的多个预设比特值;利用多个预设读取电压分别读取所述多个第一存储单元,以获得对应所述多个第一存储单元的多个读取比特值;根据对应所述多个第一存储单元的所读取的所述多个读取比特值与所识别的所述多个预设比特值来调整所述多个预设读取电压,以获得多个最佳化读取电压;以及使用所述多个最佳化读取电压对所述第一实体单元执行读取指令序列。 | ||
搜索关键词: | 读取 存储单元 读取电压 预设 存储控制器 实体单元 数据读取 最佳化 非易失性存储器模块 读取指令 可复写式 | ||
【主权项】:
1.一种数据读取方法,适用于配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置,其中所述可复写式非易失性存储器模块具有多个实体单元,其中所述多个实体单元的每一个实体单元包括多个存储单元,所述方法包括:选择所述多个实体单元中的第一实体单元,并且识别对应所述第一实体单元的多个第一存储单元的多个预设比特值,其中所述多个预设比特值包括所述可复写式非易失性存储器模块的所有存储单元的每一个存储单元可具有的不同的多个存储状态;利用预设读取电压组的多个预设读取电压分别读取所述多个第一存储单元,以获得所述多个第一存储单元所存储的多个读取比特值,其中所述多个预设读取电压的总数为所述多个存储状态的总数减一,并且所述多个预设读取电压分别用以区分所述多个存储状态;根据对应所述多个第一存储单元的所读取的所述多个读取比特值与所识别的所述多个预设比特值来调整所述预设读取电压组的所述多个预设读取电压,以获得最佳化读取电压组;以及使用所述最佳化读取电压组对所述第一实体单元执行读取指令序列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大心电子(英属维京群岛)股份有限公司,未经大心电子(英属维京群岛)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710907831.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体存储装置
- 下一篇:一种提高漏极电压稳定性的电路、存储芯片及存储器