[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一区和与第一区连接的第二区，第一区和第二区基底上分别具有若干鳍部；在第一区鳍部内形成第一源漏掺杂区；在第二区鳍部侧壁形成第一保护层；在第二区鳍部内形成第二源漏掺杂区，第二源漏掺杂区侧壁覆盖第一保护层；在基底上形成介质层，介质层内具有由第一区延伸至第二区的开口，开口暴露出第一保护层侧壁、第二源漏掺杂区顶部、以及第一源漏掺杂区侧壁和顶部；在开口底部形成第一金属硅化物层；形成第一金属硅化物层后，去除第一保护层；去除第一保护层后，在开口底部第二源漏掺杂区侧壁形成第二金属硅化物层。所形成的半导体器件性能好。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和与第一区连接的第二区，所述第一区和第二区基底上分别具有若干鳍部；在所述第一区鳍部内形成第一源漏掺杂区；在所述第二区鳍部的侧壁形成第一保护层；在所述第二区鳍部内形成第二源漏掺杂区，所述第二源漏掺杂区的侧壁覆盖第一保护层；在所述基底上形成介质层，所述介质层内具有由第一区延伸至第二区的开口，所述开口底部暴露出第一保护层的侧壁、第二源漏掺杂区的顶部表面、以及第一源漏掺杂区的侧壁和顶部表面；在所述开口底部的第一源漏掺杂区的侧壁和顶部表面、以及第二源漏掺杂区的顶部表面形成第一金属硅化物层；形成所述第一金属硅化物层之后，去除所述第一保护层；去除第一保护层之后，在所述开口底部的第二源漏掺杂区的侧壁形成第二金属硅化物层。