[发明专利]一种Mosfet状态监测装置在审
申请号: | 201710918508.3 | 申请日: | 2017-09-30 |
公开(公告)号: | CN107528454A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 杨凯 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;G01R31/26;H02M3/156 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人: | 刘雪萍 |
地址: | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开一种Mosfet状态监测装置,包括Mosfet,以及接收控制芯片的控制信号,根据控制信号驱动Mosfet开通关断的Mosfet驱动电路;实时监测Mosfet栅极电压,并将监测信号传至控制芯片的Mosfet栅极电压监测电路;以及,控制芯片和监控后台;控制芯片的输出端分别与Mosfet驱动电路的输入端、监控后台的输入端连接;Mosfet驱动电路的输出端与Mosfet栅极连接;Mosfet栅极电压监测电路的输入端与Mosfet栅极连接,Mosfet栅极电压监测电路的输出端与控制芯片的输入端连接;控制芯片发送控制信号至Mosfet驱动电路,并接收和处理Mosfet栅极电压监测电路的监测信号,当该监测信号异常时,发送报警信号至监控后台。本发明时时侦测Mosfet的栅极电压,在栅极电压异常时及时通知控制芯片,提前发现Mosfet异常。 | ||
搜索关键词: | 一种 mosfet 状态 监测 装置 | ||
【主权项】:
一种Mosfet状态监测装置,其特征在于,包括:Mosfet,以及接收控制芯片的控制信号,根据控制信号驱动Mosfet开通关断的Mosfet驱动电路;实时监测Mosfet栅极电压,并将监测信号传至控制芯片的Mosfet栅极电压监测电路;以及,控制芯片和监控后台;控制芯片的输出端分别与Mosfet驱动电路的输入端、监控后台的输入端连接;Mosfet驱动电路的输出端与Mosfet栅极连接;Mosfet栅极电压监测电路的输入端与Mosfet栅极连接,Mosfet栅极电压监测电路的输出端与控制芯片的输入端连接;所述控制芯片发送控制信号至Mosfet驱动电路,并接收和处理Mosfet栅极电压监测电路的监测信号,当该监测信号异常时,发送报警信号至监控后台。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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