[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710919363.9 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107895689B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 米仓智子 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L29/78;H01L21/336;G03F7/20;G03F7/16;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制保护膜的残渣的产生的半导体装置。半导体装置包含半导体基板；导电膜，覆盖半导体基板的表面，且在表面具有相互平行地配置的多个凹部；以及保护膜，以在具备相对于多个凹部形成大于0°且小于90°的角度的边的开口部使导电膜部分露出的方式覆盖导电膜的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：半导体基板；导电膜，覆盖上述半导体基板的表面且在表面具有相互平行地配置的直线状的多个凹部；以及保护膜，覆盖上述导电膜的表面且具有开口部，上述开口部具备与上述多个凹部形成大于0°且小于90°的角度的边并且使上述导电膜局部露出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
