[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710924295.5 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109148460B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20;H10B43/20;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 金玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：接触栓塞；配线，其与上述接触栓塞电连接；连接图案，其位于上述配线的上部；气隙，其位于相邻的接触栓塞之间，并向相邻的配线之间扩张；及覆盖膜，其位于上述配线及上述连接图案上，以规定上述气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：接触栓塞；配线，其与上述接触栓塞电连接；连接图案，其位于上述配线的上部；气隙，其位于相邻的接触栓塞之间，并向相邻的配线之间扩张；及覆盖膜，其位于上述配线及上述连接图案上，以规定上述气隙。
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