[发明专利]一种校正全局金属层工艺热点的方法有效
| 申请号： | 201710924604.9 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107844033B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 谭轶群;于世瑞;赵璇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种校正全局金属层工艺热点的方法，包括以下步骤：S01：在金属层中进行热点检出，生成热点标记层；S02：以热点为中心，生成该热点的外延层；S03：以外延光罩层为参考层，热点目标层为目标层，对上述热点进行像素级光学临近校正，得到光罩层Ⅰ；S04：以光罩层Ⅰ为参考层，外延目标层为目标层，对上述外延层进行光学临近校正，得到光罩层Ⅱ；S05：将光罩层Ⅰ和热点光罩层做逻辑非运算，将光罩层Ⅱ和外延光罩层做逻辑非运算，若两次逻辑非运算结果均为空，则光罩层Ⅰ和光罩层Ⅱ做逻辑异或运算，得到校正后的金属光罩层；若两次逻辑运算结果不全为空，则重复步骤S03‑S05。本发明提能够全局性地解决金属层工艺热点的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 校正 全局 金属 工艺 热点 方法 | ||
【主权项】：
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