[发明专利]感测装置在审
| 申请号： | 201710933862.3 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109659385A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 吴智濠 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种感测装置，包括：基板、至少一晶体管、至少一感测元件及闪烁层，晶体管设置于基板上，感测元件设置于晶体管上并电性连接晶体管。感测元件包括：第一电极层、半导体层及第二电极层，半导体层设置于第一电极层上，第二电极层设置于半导体层上。闪烁层设置于基板的一侧，其中闪烁层的至少一角落区域包括弧形结构或斜边结构。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体层 感测元件 闪烁层 基板 第二电极 第一电极 感测装置 电性连接 弧形结构 角落区域 斜边结构 | ||
【主权项】：
1.一种感测装置，其特征在于，包括：一基板；至少一晶体管，设置于该基板上；至少一感测元件，设置于该晶体管上，并电性连接该晶体管，该感测元件包括：一第一电极层；一半导体层，设置于该第一电极层上；一第二电极层，设置于该半导体层上；以及一闪烁层，设置于该基板的一侧，其中该闪烁层的至少一角落区域包括一弧形结构或一斜边结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
