[发明专利]逻辑单元结构和方法

摘要

半导体结构包括半导体衬底；设置在半导体衬底上的场效应器件，其中场效应器件包括具有在第一方向上定向的细长形状的栅极；设置在栅极上方的第一金属层；设置在第一金属层上方的第二金属层；以及设置在第二金属层上方的第三金属层。第一金属层包括在垂直于第一方向的第二方向上定向的多条第一金属线。第二金属层包括在第一方向上定向的多条第二金属线。第三金属层包括在第二方向上定向的多条第三金属线。第一金属线具有第一厚度，第二金属线具有第二厚度，第三金属线具有第三厚度，并且第二厚度小于第一厚度和第三厚度。本发明实施例涉及一种逻辑单元结构和方法。

主权项

1.一种半导体结构，包括：半导体衬底；多个场效应器件，设置在所述半导体衬底上，其中，所述场效应器件包括具有在第一方向上定向的细长形状的栅极；第一金属层，设置在所述栅极上方，其中，所述第一金属层包括在垂直于所述第一方向的第二方向上定向的多条第一金属线；第二金属层，设置在所述第一金属层上方，其中，所述第二金属层包括在所述第一方向上定向的多条第二金属线；以及第三金属层，设置在所述第二金属层上方，其中，所述第三金属层包括在所述第二方向上定向的多条第三金属线；其中，所述第一金属线具有第一厚度，所述第二金属线具有第二厚度，所述第三金属线具有第三厚度，并且其中，所述第二厚度小于所述第一厚度和所述第三厚度。