[发明专利]包括相对低的电阻率的芯的互连导线有效
申请号: | 201710951501.1 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN107731785B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 俞辉在;T·K·因杜库里;R·V·谢比亚姆;J·S·克拉克 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/532 | 分类号: | H01L23/532;H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明描述了一种电介质层和形成所述电介质层的方法。在电介质层中限定了开口,并且在所述开口内沉积了导线,其中,所述导线包括被护套材料包围的芯材料,其中,所述护套材料呈现出第一电阻率ρ1,并且所述芯材料呈现出第二电阻率ρ2,并且ρ2小于ρ1。 | ||
搜索关键词: | 包括 相对 电阻率 互连 导线 | ||
【主权项】:
一种集成电路结构,包括:电介质材料;位于所述电介质材料中的沟槽,所述沟槽具有底部和侧壁;位于所述沟槽内的芯材料,所述芯材料包括铜,并且所述芯材料具有底表面、侧壁表面和顶表面;护套,所述护套位于所述芯材料的所述底表面上、沿着所述侧壁表面并且在所述顶表面上,所述护套包括钴;以及位于所述沟槽的所述底部与所述护套之间的屏障层,所述屏障层包括钽和氮。
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