[发明专利]功率金属氧化物半导体场效晶体管有效
| 申请号： | 201710952623.2 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN109671766B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李绍谦;林宏泽;王珑智;王圣元 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种功率金属氧化物半导体场效晶体管，包括第一晶体管与第二晶体管。第一晶体管与第二晶体管分别包括以下构件。阱区位于基底结构中。沟槽式栅极设置于阱区中。多个第一掺杂区设置于沟槽式栅极两侧的阱区中。第一金属层设置于基底结构的第一表面上，且电连接于第一掺杂区。第二掺杂区设置于基底结构中。第二金属层设置于基底结构的相对于第一表面的第二表面上，且电连接于第二掺杂区。第一晶体管的阱区与第二晶体管的阱区彼此分离。第一晶体管与第二晶体管共用第二掺杂区与第二金属层。所述功率金属氧化物半导体场效晶体管可仅使用位于相同表面上的金属层来完成电性测试。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，包括：第一晶体管与第二晶体管，分别包括：基底结构，具有第一导电型；阱区，具有第二导电型，且位于所述基底结构中；至少一个沟槽式栅极，设置于所述阱区中；多个第一掺杂区，具有所述第一导电型，且设置于所述至少一个沟槽式栅极两侧的所述阱区中；第一金属层，设置于所述基底结构的第一表面上，且电连接于所述多个第一掺杂区；第二掺杂区，具有所述第一导电型，且设置于所述阱区下方的所述基底结构中；以及第二金属层，设置于所述基底结构的相对于所述第一表面的第二表面上，且电连接于所述第二掺杂区，其中所述第一晶体管的所述阱区与所述第二晶体管的所述阱区彼此分离，且所述第一晶体管与所述第二晶体管共用所述第二掺杂区与所述第二金属层。
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