[发明专利]形成垂直互连结构的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201710969846.X | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107731697B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑;陈康 | 申请（专利权）人： | 长电集成电路（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/538;H05K1/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;刘春元 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种形成垂直互连结构的方法和半导体器件。半导体器件具有半导体管芯。密封剂在半导体管芯上形成。导电微通孔阵列在半导体管芯的覆盖区外部的密封剂上形成。具有台阶穿孔结构的第一穿模孔穿过密封剂形成以露出导电微通孔阵列。在一个实施例中，形成导电微通孔阵列还包括在密封剂和半导体管芯上形成绝缘层，在半导体管芯的覆盖区外部形成穿过绝缘层的微通孔阵列，以及在绝缘层上形成导电层。在另一实施例中，形成导电微通孔阵列还包括形成导电环。在另一实施例中，在半导体管芯上形成绝缘层以用于结构支撑，堆积互连结构在半导体管芯上形成，以及导电互连结构在第一穿模孔中形成。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 垂直 互连 结构 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体管芯；在所述半导体管芯上沉积密封剂；在所述半导体管芯的覆盖区外部以及在所述半导体管芯和密封剂上形成导电微通孔阵列；和形成穿过密封剂的第一穿模孔（TMH）以暴露导电微通孔阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长电集成电路（绍兴）有限公司，未经长电集成电路（绍兴）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710969846.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
