[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710972455.3 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN108063157B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 夏尔马·迪帕克;拉吉普·兰詹;克查纳利·苏巴斯;朴哲弘;梁在锡;千宽永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其包含：第一有源图案，其在衬底的第一区和第二区上在第一方向上延伸；第一虚拟栅极电极，其在第二方向上延伸与第一区和第二区之间的第一有源图案交叉；接触结构，其接触第一虚拟栅极电极并且在第一方向上延伸；以及电力线，其安置在接触结构上并且电连接到接触结构。电力线在第一方向上延伸。当在平面图中查看时接触结构与电力线重叠。本发明的半导体装置的整体面积可以减小并且半导体装置的电气特征可以得到改进。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一有源图案，在第一方向上延伸，且在衬底的第一区以及第二区上；第一虚拟栅极电极，其在第二方向上延伸，且与所述第一区以及所述第二区之间的所述第一有源图案交叉；接触结构，接触所述第一虚拟栅极电极并且在所述第一方向上延伸；以及电力线，安置在所述接触结构上并且电连接到所述接触结构，所述电力线在所述第一方向上延伸，其中当在平面图中查看时所述接触结构与所述电力线重叠。
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