[发明专利]一种退火工艺的检测方法有效
| 申请号： | 201710973277.6 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107706122B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘纪伟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种退火工艺的检测方法，属于半导体制造技术领域包括以下步骤：包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体基底；步骤S2、对所述半导体基底进行离子注入；步骤S3、于所述半导体基底上生长一层氧化膜；步骤S4、对所述半导体基底进行退火；步骤S5、测量退火后的所述半导体基底的电学参数。上述技术方案的有益效果是：离子注入之后在晶片的表面生长一层氧化膜，避免出现离子在退火过程中因高温而逸出晶片导致的晶片表面电阻偏高的现象，从而提高退火工艺检测的准确率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 退火 工艺 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种退火工艺的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体基底；步骤S2、对所述半导体基底进行离子注入；步骤S3、于所述半导体基底上生长一层氧化膜；步骤S4、对所述半导体基底进行退火；步骤S5、测量退火后的所述半导体基底的电学参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
