[发明专利]AMOLED外部电学补偿侦测方法有效
| 申请号： | 201710973491.1 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107516484B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 解红军 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/00 | 分类号： | G09G3/00;G09G3/3233 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种AMOLED外部电学补偿侦测方法，在显示模式下，先估算出侦测薄膜晶体管的漏极与源极之间的跨压，再将所述侦测薄膜晶体管的漏极与源极之间的跨压的估算值用于计算驱动薄膜晶体管的栅源极电压，能够提高驱动薄膜晶体管栅源极电压的写入精确度；在侦测模式下，先估算出侦测薄膜晶体管的漏极与源极之间的跨压，再将所述侦测薄膜晶体管的漏极与源极之间的跨压的估算值用于计算驱动薄膜晶体管的源极的电压，然后将计算得到的驱动薄膜晶体管的源极的电压用于计算驱动薄膜晶体管的阈值电压与载流子迁移率，能够减小驱动薄膜晶体管的阈值电压与载流子迁移率的计算误差，改善AMOLED外部电学补偿侦测的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | amoled 外部 电学 补偿 侦测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种AMOLED外部电学补偿侦测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供AMOLED显示器；所述AMOLED显示器内具有呈阵列式排布的外部补偿像素电路，所述外部补偿像素电路包括驱动薄膜晶体管(T1)、开关薄膜晶体管(T2)、侦测薄膜晶体管(T3)、有机发光二级管(D)及电容(C)；所述开关薄膜晶体管(T2)的栅极接入扫描信号(Gate)，漏极接入数据信号(Data)，源极电性连接驱动薄膜晶体管(T1)的栅极(g)；所述驱动薄膜晶体管(T1)的漏极接入电源正电压(VDD)，源极(s)电性连接侦测薄膜晶体管(T3)的漏极；所述侦测薄膜晶体管(T3)的栅极接入控制信号(P)，源极电性连接侦测走线(L)；所述有机发光二级管(D)的阳极电性连接驱动薄膜晶体管(T1)的源极(s)，阴极接入电源负电压(VSS)；所述电容(C)的一端电性连接驱动薄膜晶体管(T1)的栅极(g)，另一端电性连接驱动薄膜晶体管(T1)的源极(s)；步骤S2、进入显示模式，先估算出侦测薄膜晶体管(T3)的漏极与源极之间的跨压，再将所述侦测薄膜晶体管(T3)的漏极与源极之间的跨压的估算值用于计算驱动薄膜晶体管(T1)的栅源极电压；步骤S3、进入侦测模式，先估算出侦测薄膜晶体管(T3)的漏极与源极之间的跨压，再将所述侦测薄膜晶体管(T3)的漏极与源极之间的跨压的估算值用于计算驱动薄膜晶体管(T1)的源极(s)的电压；步骤S4，将所述步骤S3计算得到的驱动薄膜晶体管(T1)的源极(s)的电压用于计算驱动薄膜晶体管(T1)的阈值电压与载流子迁移率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710973491.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
