[发明专利]一种铜配位的多孔聚合物、制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201710974705.7 申请日: 2017-10-19
公开(公告)号: CN107698777B 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 刘丰祎;范文涛;寇军锋;徐全清;张泽宇 申请(专利权)人: 云南师范大学
主分类号: C08G83/00 分类号: C08G83/00;B01J31/22;B01J35/10;C01B32/40
代理公司: 昆明科阳知识产权代理事务所 53111 代理人: 孙山明;徐洪刚
地址: 650500 云*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种铜配位的多孔聚合物、制备方法及应用。本发明属于配位聚合物材料。其化学式为[Cu3(Tra)2O2•7H2O]n,分子结构式为C24H32Cu12N36O38,其中Tra为1,2,4‑三氮唑去质子后的阴离子,Cu为二价铜离子,材料的形态为固态晶体。该聚合物的晶体结晶为三方晶系,R‑3C空间群,其三维框架结构的孔隙率为51.9%。制备是:将1,2,4‑三氮唑‑3‑羧酸和5‑氨基‑1,2,4‑三氮唑‑3‑羧酸与CuCl2在水热条件下反应,得到墨绿色的晶体。本发明可作为一种光催化剂,把温室气体二氧化碳转变为一氧化碳。本发明制备工艺易实施,产物纯度和产率均较高,在光催化转化二氧化碳方面具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 铜配位 多孔 聚合物 制备 方法 应用
【主权项】:
一种铜配位的多孔聚合物,其特征在于:该聚合物化学式为[Cu3(Tra)2O2·7H2O]n,其中,Tra代表有机配体1,2,4‑三氮唑去质子后的阴离子,Cu为铜离子,该聚合物具有Tra配体通过氧原子桥联铜离子形成的一维孔道,并进一步具有三维多孔的骨架网络;该聚合物晶体属于三方晶系,空间群为R‑3C,晶胞参数分别为:b=17.569(5)、α=β=90°,γ=120°,
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南师范大学,未经云南师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710974705.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top