[发明专利]一种基于深度-提离值变换的缺陷漏磁信号求解方法有效
| 申请号： | 201710976832.0 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107817290B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 黄松岭;彭丽莎;赵伟;王珅;于歆杰;董甲瑞;汪芙平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N27/83 | 分类号： | G01N27/83 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于深度‑提离值变换的缺陷漏磁信号求解方法，包括以下步骤：S1：确定待求解缺陷漏磁信号对应的物质表面的缺陷尺寸和提离值t；S2：将待求解缺陷漏磁信号的缺陷沿缺陷深度的方向划分为等深度的n个子缺陷，并从n个子缺陷中确定基本子缺陷；S3：分别对n个子缺陷在提离值t处所对应的缺陷漏磁信号进行深度‑提离值变换，求解不同深度范围的n个子缺陷在提离值t处所对应的缺陷漏磁信号得到提离值序列Tn；S4：根据提离值序列Tn，获取基本子缺陷在不同提离值所对应的缺陷漏磁信号；S5：将基本子缺陷在不同提离值所对应的缺陷漏磁信号进行组合操作，得到待求解缺陷漏磁信号。本发明具有计算速度快，计算精度高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 深度 提离值 变换 缺陷 信号 求解 方法 | ||
【主权项】：
一种基于深度‑提离值变换的缺陷漏磁信号的求解方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：确定待求解缺陷漏磁信号对应的物质表面的缺陷尺寸和提离值t，其中，所述物质表面的缺陷尺寸包括缺陷长度、缺陷宽度和缺陷深度；S2：将所述待求解缺陷漏磁信号的缺陷沿所述缺陷深度的方向划分为等深度的n个子缺陷，并从所述n个子缺陷中确定基本子缺陷；S3：分别对所述n个子缺陷在所述提离值t处所对应的缺陷漏磁信号进行深度‑提离值变换，求解不同深度范围的所述n个子缺陷在所述提离值t处所对应的缺陷漏磁信号得到提离值序列Tn；S4：根据所述提离值序列Tn，获取所述基本子缺陷在不同提离值所对应的缺陷漏磁信号；S5：将所述基本子缺陷在不同提离值所对应的缺陷漏磁信号进行组合操作，得到所述待求解缺陷漏磁信号。
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