[发明专利]瞬态抑制二极管芯片结构在审
| 申请号： | 201710977881.6 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107731818A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 喻先坤 | 申请（专利权）人： | 东莞市阿甘半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 | 代理人： | 胡海国,赵爱蓉 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种瞬态抑制二极管芯片结构，该瞬态抑制二极管芯片结构包括第一导电类型衬底层；形成于第一导电类型衬底层一表面的第一导电类型注入层；形成于第一导电类型衬底层与第一导电类型注入层之间的第二导电类型外延层；以及隔离结构，隔离结构贯穿第一导电类型注入层及第二导电类型外延层，将第一导电类型注入层及第二导电类型外延层分隔成两个及以上区域。本发明技术方案设计芯片电极位于同一侧实现免封装，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 抑制 二极管 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种瞬态抑制二极管芯片结构，其特征在于，包括第一导电类型衬底层；形成于第一导电类型衬底层一表面的第一导电类型注入层；形成于第一导电类型衬底层与第一导电类型注入层之间的第二导电类型外延层；以及隔离结构，所述隔离结构贯穿所述第一导电类型注入层及所述第二导电类型外延层，将所述第一导电类型注入层及所述第二导电类型外延层分隔成两个及以上区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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