[发明专利]对准标记清洗方法以及半导体制造方法在审
| 申请号： | 201710980516.0 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109686649A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 宋春;曾红林;仇峰;陈文磊;游智星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种对准标记清洗方法，本发明提供的对准标记清洗方法中，所述对准标记清洗方法包括：提供一基底，所述基底上具有对准标记，所述对准标记被杂质覆盖；提供反应器皿，使得所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记；向所述反应器皿中注入药液，与所述杂质反应；排出反应器皿中反应后的产物；以及移除所述反应器皿。由此，通过药液定向的进行清洗，即可使得对准标记上的杂质去除，操作过程简单，效果良好，不易对基底产生其他影响，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 对准标记 反应器皿 清洗 基底 半导体制造 操作过程 杂质反应 杂质去除 覆盖 排出 移除 罩住 | ||
【主权项】：
1.一种对准标记清洗方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底上具有对准标记，所述对准标记被杂质覆盖；提供反应器皿，使得所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记；向所述反应器皿中注入药液，与所述杂质反应；排出反应器皿中反应后的产物；以及移除所述反应器皿。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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