[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710986723.7 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN109698264B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 林世川;江宗瀚;林峻峣;黄昭铭;洪秀龄;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/36 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 李艳霞 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，其包括发光二极管晶粒及封装层，所述发光二极管晶粒包括半导体结构、第一电极及第二电极，所述半导体结构包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光活性层及P型半导体层，所述第一电极设置于所述P型半导体层，所述第二电极设置于所述N型半导体层，所述封装层包覆所述发光二极管晶粒并露出所述N型半导体层、所述第一电极及所述第二电极，所述封装层沿所述半导体结构的堆叠方向开设与与所述发光二极管晶粒的周缘间隔设置的贯穿孔，所述发光二极管还包括导电结构及第一导电层，所述导电结构填满所述贯穿孔，所述第一导电层形成于所述导电结构靠近所述第一电极的一端，并电连接所述第一电极及所述导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其包括发光二极管晶粒及封装层，所述发光二极管晶粒包括半导体结构、设置于所述半导体结构上的第一电极及第二电极，所述半导体结构包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光活性层及P型半导体层，所述第一电极设置于所述P型半导体层，所述第二电极设置于所述N型半导体层，所述封装层包覆所述发光二极管晶粒并露出所述N型半导体层、所述第一电极及所述第二电极，其特征在于，所述封装层沿所述半导体结构的堆叠方向开设与所述发光二极管晶粒的周缘间隔设置的贯穿孔，所述发光二极管还包括导电结构及第一导电层，所述导电结构填满所述贯穿孔，所述第一导电层形成于所述导电结构靠近所述第一电极的一端，并电连接所述第一电极及所述导电结构。
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