[发明专利]OLED面板及其制作方法有效
| 申请号： | 201710995248.X | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107680993B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘兆松;徐源竣 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种OLED面板及其制作方法。该OLED面板包括：玻璃基板；TFT遮光层；缓冲层；半导体层；沉积在半导体层上经图形化处理的栅极绝缘层和第一金属层；沉积于第一金属层上的层间绝缘层；沉积于层间绝缘层上的经历图形化处理的第二金属层；以原子层沉积方式沉积于该第二金属层上的钝化层，该钝化层为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于该钝化层上的彩色滤光片、平坦层、阳极以及像素限定层，该平坦层对应于储存电容区域设有开孔结构；制作于该阳极上的发光层；制作于该发光层上的阴极。本发明还提供了相应的OLED面板制作方法。本发明的OLED面板及其制作方法能够有效提高OLED面板的储存电容，可以减小储存电容设计面积，从而有利于提高面板开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 制作 钝化层 层间绝缘层 第二金属层 第一金属层 图形化处理 阳极 半导体层 储存电容 发光层 平坦层 高介电常数材料 阴极 储存电容区域 彩色滤光片 像素限定层 原子层沉积 栅极绝缘层 玻璃基板 开孔结构 面板开口 缓冲层 遮光层 减小 上经 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种OLED面板，其特征在于，包括：玻璃基板；制作于该玻璃基板上的TFT遮光层；沉积在该TFT遮光层上的缓冲层；沉积在该缓冲层上的半导体层，该半导体层经历图形化处理形成TFT有源层；沉积在该半导体层上经图形化处理的栅极绝缘层和第一金属层，并且该第一金属层覆盖区域以外的该半导体层经历导体化处理；沉积于该第一金属层上的层间绝缘层，在该层间绝缘层上设有源漏极接触区开孔；沉积于该层间绝缘层上的经历图形化处理的第二金属层；以原子层沉积方式沉积于该第二金属层上的钝化层，该钝化层为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于该钝化层上的彩色滤光片、平坦层、阳极以及像素限定层，该平坦层对应于储存电容区域设有开孔结构；制作于该阳极上的发光层；制作于该发光层上的阴极；/n所述钝化层厚度小于500埃；/n所述高介电常数材料为Al
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
