[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板有效
| 申请号： | 201710999043.9 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107818991B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 杨维;胡合合;卢鑫泓 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 张雨竹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可避免由于膜层不均一性而导致在后制作的薄膜晶体管的性能受到影响。一种阵列基板，包括：并列设置于所述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一绝缘层，所述第一绝缘层在对应所述第二薄膜晶体管的区域包括第一凹槽，所述第二薄膜晶体管位于所述第一凹槽内；其中，所述第一凹槽底部所述第一绝缘层的厚度小于所述第一薄膜晶体管所在区域所述第一绝缘层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，其特征在于，包括：并列设置于衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一绝缘层，所述第一绝缘层在对应所述第二薄膜晶体管的区域包括第一凹槽，所述第二薄膜晶体管位于所述第一凹槽内；其中，所述第一凹槽底部所述第一绝缘层的厚度小于所述第一薄膜晶体管所在区域所述第一绝缘层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
