[发明专利]一种层次式异构混合内存系统在审
| 申请号： | 201710999355.X | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107797944A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 周恒钊;刘璧怡 | 申请（专利权）人： | 郑州云海信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/0895 | 分类号： | G06F12/0895;G06F12/0877 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司37100 | 代理人： | 姜明 |
| 地址： | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明特别涉及一种层次式异构混合内存系统，基于DRAM和两种非易失存储器NVM，两种非易失存储器NVM分别为PCM和Flash，根据DRAM，PCM和Flash三种存储介质的特性对其统一编址、统一管理。根据不同存储介质的特性对三种介质进行合理的组织，确立三种介质的角色、容量比等，使得三种介质的优势均可以得到最大程度的发挥，并尽量降低各自劣势带来的限制，提供了一个整体性能优良的混合内存系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层次 式异构 混合 内存 系统 | ||
【主权项】：
一种层次式异构混合内存系统，其特征在于：基于DRAM和两种非易失存储器NVM，两种非易失存储器NVM分别为PCM和Flash，根据DRAM，PCM和Flash三种存储介质的特性对其统一编址、统一管理；其中DRAM与两种非易失存储器NVM平行存在于层次式异构混合内存中，即DRAM与两种非易失存储器NVM统一编址；DRAM作为两种非易失存储器NVM的高速缓冲存储器Cache，两种非易失存储器NVM作为DRAM的后端扩展内存；处理器通过主机DIMM接口访问DRAM存储，通过异构混合内存控制器访问两种非易失存储器NVM；所述异构混合内存控制器根据非易失存储器NVM物理芯片的工作时序，上层调用命令和引脚电平信号状态设置工作状态机以完成相应的操作，并提供驱动所述层次式异构混合内存的函数接口。
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