[发明专利]腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备有效
申请号: | 201711008343.2 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN109706435B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 张军;郑波;马振国;吴鑫;文莉辉;胡云龙;张鹤南;储芾坪 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/67 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖组件包括腔室盖和进气组件,进气组件与腔室盖密闭连通,用于将至少两种反应气体从腔室的外侧引入到腔室的内侧,进气组件包括:至少两个相互独立的进气管道,其分别与各自的反应气源连通;第一进气件,其与腔室盖连接,第一进气件设置有至少两个进气通道,分别与其所对应的进气管道连通;防腐进气转接件,位于第一进气件和腔室盖之间,其一端与腔室密闭连通,另一端与全部进气通道密闭连通,至少两种反应气体进入到防腐进气转接件内混合反应。将多种反应气体送入到防腐进气转接件内发生混合反应,可以避免反应气体的提前混合,从而避免反应气体对腔室盖以及第一进气件的腐蚀。 | ||
搜索关键词: | 腔室盖 组件 工艺 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种腔室盖组件,位于腔室上方,所述腔室盖组件包括腔室盖和进气组件,所述进气组件与所述腔室盖密闭连通,用于将至少两种反应气体从腔室的外侧引入到腔室的内侧,其特征在于,所述进气组件包括:至少两个相互独立的进气管道,其分别与各自的反应气源连通;第一进气件,所述第一进气件与所述腔室盖连接,所述第一进气件设置有至少两个进气通道,所述进气通道分别与其所对应的所述进气管道连通;防腐进气转接件,所述防腐进气转接件位于所述第一进气件和所述腔室盖之间,所述防腐进气转接件的一端与所述腔室密闭连通,另一端与全部所述进气通道密闭连通,所述至少两种反应气体进入到所述防腐进气转接件内混合反应,以防止混合反应后的产物对进气组件产生腐蚀。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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