[发明专利]腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备有效

专利信息
申请号: 201711008343.2 申请日: 2017-10-25
公开(公告)号: CN109706435B 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 张军;郑波;马振国;吴鑫;文莉辉;胡云龙;张鹤南;储芾坪 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;H01L21/67
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 施敬勃
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖组件包括腔室盖和进气组件,进气组件与腔室盖密闭连通,用于将至少两种反应气体从腔室的外侧引入到腔室的内侧,进气组件包括:至少两个相互独立的进气管道,其分别与各自的反应气源连通;第一进气件,其与腔室盖连接,第一进气件设置有至少两个进气通道,分别与其所对应的进气管道连通;防腐进气转接件,位于第一进气件和腔室盖之间,其一端与腔室密闭连通,另一端与全部进气通道密闭连通,至少两种反应气体进入到防腐进气转接件内混合反应。将多种反应气体送入到防腐进气转接件内发生混合反应,可以避免反应气体的提前混合,从而避免反应气体对腔室盖以及第一进气件的腐蚀。
搜索关键词: 腔室盖 组件 工艺 半导体 处理 设备
【主权项】:
1.一种腔室盖组件,位于腔室上方,所述腔室盖组件包括腔室盖和进气组件,所述进气组件与所述腔室盖密闭连通,用于将至少两种反应气体从腔室的外侧引入到腔室的内侧,其特征在于,所述进气组件包括:至少两个相互独立的进气管道,其分别与各自的反应气源连通;第一进气件,所述第一进气件与所述腔室盖连接,所述第一进气件设置有至少两个进气通道,所述进气通道分别与其所对应的所述进气管道连通;防腐进气转接件,所述防腐进气转接件位于所述第一进气件和所述腔室盖之间,所述防腐进气转接件的一端与所述腔室密闭连通,另一端与全部所述进气通道密闭连通,所述至少两种反应气体进入到所述防腐进气转接件内混合反应,以防止混合反应后的产物对进气组件产生腐蚀。
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