[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201711009577.9 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109712953B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/48;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有顶层金属层；在所述半导体衬底上形成第一钝化层以及位于所述第一钝化层中的应力缓冲层，所述应力缓冲层位于所述顶层金属层的上方；在所述应力缓冲层上形成焊垫，所述焊垫与所述顶层金属层电连接。根据本发明的半导体器件制造方法和半导体器件，在半导体器件的焊垫的底部设置应力缓冲层，利用应力缓冲层缓冲焊接头在引线键合过程中施加在焊垫的应力，避免了焊垫在键合过程中被砸碎；同时，因为将应力缓冲层设置在第一钝化层之中，并没有带来额外的薄膜应力，保证了半导体器件质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有顶层金属层；在所述半导体衬底上形成第一钝化层以及位于所述第一钝化层中的应力缓冲层，所述应力缓冲层位于所述顶层金属层的上方；在所述应力缓冲层上形成焊垫，所述焊垫与所述顶层金属层电连接。
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