[发明专利]深度摄像器件及制造方法、显示面板及制造方法、装置有效
| 申请号： | 201711013369.6 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107742631B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 王鹏鹏;王海生;丁小梁;郑智仁;韩艳玲;李扬冰;曹学友;刘伟;张平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种深度摄像器件及其制造方法、显示面板及其制造方法、装置，该深度摄像器件制造方法包括：在基板上形成深度摄像头的接收单元的红外光敏器件；在该基板上的第一像素定义层上形成该深度摄像头的衍射单元的红外发光器件；在红外光敏器件和红外发光器件上形成封装层，并在封装层上形成第一光敏胶层；在第一光敏胶层上形成衍射单元的准直器件，准直器件和红外发光器件在基板上的正投影部分重叠；在准直器件上形成绝缘层，并在绝缘层上形成第二光敏胶层；在第二光敏胶层上形成衍射单元的衍射光学器件，衍射光学器件和准直器件在基板上的正投影重叠。本发明通过在基板上集成小型化的深度摄像头，从而实现了通过较低成本进行深度信息采集。 | ||
| 搜索关键词： | 深度 摄像 器件 制造 方法 显示 面板 装置 | ||
【主权项】：
1.一种深度摄像器件制造方法，其特征在于，包括：/n在基板上形成深度摄像头的接收单元的红外光敏器件；/n在所述基板上的第一像素定义层上形成所述深度摄像头的衍射单元的红外发光器件；/n在所述红外光敏器件和所述红外发光器件上形成封装层，并在所述封装层上形成第一光敏胶层；/n在所述第一光敏胶层上形成所述衍射单元的准直器件，所述准直器件和所述红外发光器件在所述基板上的正投影部分重叠；/n在所述准直器件上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成第二光敏胶层；/n在所述第二光敏胶层上形成所述衍射单元的衍射光学器件，所述衍射光学器件和所述准直器件在所述基板上的正投影重叠。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711013369.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
