[发明专利]像素结构有效
| 申请号： | 201711020134.X | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN109728141B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 陈怡君;李育群;杨立诚;郭修邑;林志豪 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种像素结构，包括发光二极管晶片以及光阻隔结构。发光二极管晶片包括P型半导体层、主动层以及N型半导体层。主动层设置于P型半导体层上。N型半导体层设置于主动层上。N型半导体层具有远离主动层的第一顶面。光阻隔结构设置于发光二极管晶片中，并定义出K个子像素区域，其中K为大于或等于3的正整数。主动层及N型半导体层分别被光阻隔结构区隔成对应于K个子像素区域的K个子部分，且K个子像素区域共用P型半导体层。第一顶面被光阻隔结构区隔成对应于K个子像素区域的K个发光面。如此一来，可提升晶片切割以及固晶的合格率，同时也避免了多晶片之间光线相互再吸收的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 | ||
【主权项】：
1.一种像素结构，其特征在于，包括：一发光二极管晶片，包括：一P型半导体层；一主动层，设置于该P型半导体层上；一N型半导体层，设置于该主动层上，其中该N型半导体层具有远离该主动层的一第一顶面；一第一电极，电性连接于该P型半导体层；以及K个第二电极，其中K为大于或等于3的正整数；以及一光阻隔结构，设置于该发光二极管晶片中，并定义出K个子像素区域，该主动层及该N型半导体层分别被该光阻隔结构区隔成对应于该K个子像素区域的K个子部分，且该K个子像素区域共用该P型半导体层，该K个第二电极分别电性连接于该N型半导体层的该K个子部分，该第一顶面被该光阻隔结构区隔成对应于该K个子像素区域的K个发光面。
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