[发明专利]多栅极半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711020362.7 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN108074983B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 魏焕昇;江宏礼;刘佳雯;许义明;吴志强;吴忠政;梁英强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造多栅极半导体器件的方法，该方法包括提供具有多个第一类型外延层和多个第二类型外延层的鳍。在鳍的沟道区中去除第二类型外延层的第一层的第一部分，以在第一类型外延层的第一层和第一类型外延层的第二层之间形成开口。然后在开口中形成具有栅极电介质和栅电极的栅极结构的部分。介电材料形成为邻接栅极结构的该部分。本发明还提供了多栅极半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造多栅极半导体器件的方法，包括：提供具有多个第一类型外延层和多个第二类型外延层的鳍；去除所述鳍的沟道区中的所述第二类型外延层的第一层的第一部分，以在所述第一类型外延层的第一层和所述第一类型外延层的第二层之间形成开口；在所述开口中形成具有栅极电介质和栅电极的栅极结构的部分；形成邻接所述栅极结构的部分的介电材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711020362.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：一种逆阻型VDMOS器件
- 同类专利
- 专利分类
