[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201711024949.5 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN107728364B 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 操彬彬;张辉;艾力 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1362
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置,该制造方法包括:在基板上设置若干检测像素单元。该检测像素单元的制造方法包括:形成至少两条数据线,在数据线上形成缓冲层;在该缓冲层上形成设有过孔的有机膜;该过孔与两条相邻的数据线在基板上的正投影部分重叠;在该有机膜上形成第一导电层。其中,该缓冲层形成失败时,该第一导电层通过该过孔短接该相邻的数据线。本发明提供的阵列基板及其制造方法、显示装置通过在有机膜上设置覆盖到相邻数据线的过孔,使得第一导电层能在缓冲层形成失败时通过该过孔短接相邻的数据线,从而在阵列检测中检测到相邻数据线短路的信号,检测出缓冲层缺失的问题,以避免产品的品质风险隐患。
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板制造方法,其特征在于,包括:在基板上设置若干检测像素单元;所述检测像素单元的制造方法包括:形成至少两条数据线,在所述数据线上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成设有过孔的有机膜;所述过孔与两条相邻的数据线在所述基板上的正投影部分重叠;在所述有机膜上形成第一导电层;其中,所述缓冲层形成失败时,所述第一导电层通过所述过孔短接所述相邻的数据线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711024949.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top