[发明专利]单面湿法黑硅硅片的制备方法

摘要

本发明涉及一种单面湿法黑硅硅片的制备方法，包括如下步骤：将若干个硅片以两两相并的方式放置，其中，两两相并的两个硅片之间的距离为0.1mm～3mm；采用动态反应对硅片进行双面抛光，得到双面抛光后的硅片；采用湿法刻蚀对双面抛光后的硅片进行单面制绒，其中，湿法刻蚀中的反应过程均静置，得到单面制绒后的硅片；以及将两两相并的单面制绒后的硅片进行分离，得到单面湿法黑硅硅片。上述单面湿法黑硅硅片的制备方法中，由于硅片以两两相并的方式放置以进行双面抛光以及单面制绒，且湿法刻蚀中的反应过程均静置，能够阻止在硅片背面形成绒面结构。因此，分离之后能够直接得到单面湿法黑硅硅片，无需后续再去除硅片背面的绒面，从而简化了制备方法。

主权项

1.一种单面湿法黑硅硅片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将若干个硅片以两两相并的方式放置，其中，两两相并的两个硅片之间的距离为0.1mm～3mm；采用动态反应对所述硅片进行双面抛光，得到双面抛光后的硅片；采用湿法刻蚀对所述双面抛光后的硅片进行单面制绒，其中，湿法刻蚀中的反应过程均静置，得到单面制绒后的硅片；以及将两两相并的所述单面制绒后的硅片进行分离，得到单面湿法黑硅硅片；对所述硅片进行双面抛光的步骤中，采用碱抛光液或者酸抛光液进行双面抛光；其中，动态反应为双面抛光的过程中采用鼓泡或者循环方式。