[发明专利]存储结构的形成方法、存储结构中通孔的形成方法

摘要

本发明实施例公开了一种存储结构的形成方法以及一种存储结构中通孔的形成方法，该方法包括通过将第一掩膜版划分成第一区域和第二区域，第一区域对应的堆叠单元的深度小于第二区域对应的堆叠单元的深度，并将第一区域中刻蚀孔的直径设置为小于第二区域中刻蚀孔的直径，来使得在后续以第一掩膜版为掩膜刻蚀时，第一区域的刻蚀速度小于第二区域的刻蚀速度，缓解位于不同层的多晶硅层对应的通孔的深度不同，而导致在利用现有技术中的方法同时形成各多晶硅层的通孔时，存在部分区域过刻蚀，部分区域刻蚀不足的现象，提高所述堆叠结构中各多晶硅层对应的接触电阻的均匀度，提高所述3D NAND存储器结构的性能。

主权项

1.一种存储器结构中通孔的形成方法，其特征在于，所述存储器结构的堆叠结构包括由层叠的多个堆叠单元组成的堆叠阵列以及覆盖所述堆叠阵列的覆盖层，所述多个堆叠单元在所述堆叠结构的至少一侧形成阶梯结构，该形成方法包括：在所述覆盖层表面放置第一掩膜版，所述第一掩膜版包括第一区域和第二区域，所述第一区域对应的所述堆叠单元的深度小于所述第二区域对应的堆叠单元的深度，所述第一区域中刻蚀孔的直径小于所述第二区域中刻蚀孔的直径，使得在后续以所述第一掩膜版为掩膜刻蚀时，所述第一区域的刻蚀速度小于所述第二区域的刻蚀速度；以所述第一掩膜版为掩膜，对所述覆盖层进行干法刻蚀，在所述覆盖层中形成与所述堆叠单元一一对应的通孔。