[发明专利]一种3D动态随机存取存储器及数据保存方法有效

专利信息
申请号: 201711046081.9 申请日: 2017-10-31
公开(公告)号: CN107644663B 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 沈建宏 申请(专利权)人: 睿力集成电路有限公司
主分类号: G11C11/4074 分类号: G11C11/4074;G11C5/02;G06F3/06
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 张臻贤;武晨燕
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种3D动态随机存取存储器,包括多个易失性数据存储装置、主控逻辑芯片及电力存储装置,主控逻辑芯片的输入端与易失性数据存储装置电连接在一立体堆栈体中,主控逻辑芯片的输出端用于与非易失性存储器电连接,在电力存储装置的电供应下,主控逻辑芯片用于驱动将从易失性数据存储装置下载的数据转发复制至非易失性存储器。当易失性数据存储装置断电时,主控逻辑芯片已经将提前下载到的数据非易失性存储器进行存储,实现数据保存的目的。本发明还公开了一种3D动态随机存取存储器的数据保存方法,具有上述技术效果。
搜索关键词: 一种 动态 随机存取存储器 数据 保存 方法
【主权项】:
1.一种3D动态随机存取存储器,其特征在于,包括多个易失性数据存储装置、主控逻辑芯片、内存模块板及电力存储装置;所述多个易失性数据存储装置、所述主控逻辑芯片、及所述电力存储装置设置在所述内存模块板上,所述主控逻辑芯片安装在所述易失性数据存储装置底部,所述内存模块板设置有卡槽,用以接合非易失性存储器;所述主控逻辑芯片的输入端与所述易失性数据存储装置电连接在一立体堆栈体中,所述主控逻辑芯片的输出端用于与非易失性存储器电连接,在所述电力存储装置的电供应下,所述主控逻辑芯片用于驱动将从所述易失性数据存储装置下载的数据转发复制至所述非易失性存储器;其中,所述易失性数据存储装置包括构成所述立体堆栈体的多个层叠堆栈的DRAM内存芯片,所述DRAM内存芯片之间通过硅穿孔相互连接。
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