[发明专利]一种多重间距曝光图案及其制备方法

摘要

本发明提供一种多重间距曝光图案及其制备方法，制备包括：提供一半导体基底，并于半导体基底上形成多晶硅层，且多晶硅层包括若干个多晶硅单元，多晶硅单元之间产生一间隙；对多晶硅单元的侧面进行离子掺杂，使多晶硅单元显露于间隙的侧部形成为掺杂部，且多晶硅单元另具有在相邻于掺杂部且未进行离子掺杂的本征部，其中，掺杂部的刻蚀速率远小于本征部的刻蚀速率；以及采用特定刻蚀选择比对本征部进行刻蚀，以去除本征部且保留掺杂部。通过上述方案，本发明提供的方法，有效的解决了现有的曝光显影技术已达到物理极限的问题，可以得到线径微缩的半导体图案结构，工艺简单，不易受外界影响，得到图案的尺寸精确，易于控制。

主权项

1.一种多重间距曝光图案的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一半导体基底，并于所述半导体基底上形成多晶硅层，且所述多晶硅层包括若干个多晶硅单元，所述多晶硅单元之间产生一间隙；2)对于所述多晶硅单元的侧面进行离子掺杂，使所述多晶硅单元显露于所述间隙的侧部形成为掺杂部，且所述多晶硅单元另具有在相邻于所述掺杂部且未进行离子掺杂的本征部，其中，所述掺杂部的刻蚀速率远小于所述本征部的刻蚀速率；以及3)采用特定刻蚀选择比对所述本征部进行刻蚀，以去除所述本征部且保留所述掺杂部。