[发明专利]一种硅片扩散后清洗工艺有效
| 申请号： | 201711057485.8 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109755099B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 黄志焕;李亚哲;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅片扩散后清洗工艺，具体包括以下步骤，S1：对扩散后的硅片进行酸处理；S2：对所述酸处理的硅片进行混酸处理；S3：对所述混酸处理的硅片进行有机溶剂处理。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案，使得硅片在扩散后的清洗更加方便快捷，使得硅片表面的清洁度更易达到生产规格的要求，依次采用氢氟酸清洗、纯水清洗、混酸清洗和纯水清洗，不但能够将硅片表面扩散后的磷硅玻璃和硼硅玻璃去掉，并将扩散后的硅片进行分离，同时能够将硅片表面的杂质清洗干净，使得硅片表面的清洁度达到生产规格要求，为后续工序做好准备，采用无水乙醇对硅片进行清洗，使得硅片表面减少颗粒杂质的吸附，进一步保证硅片表面的清洁度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 扩散 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种硅片扩散后清洗工艺，其特征在于：具体包括以下步骤，S1：对扩散后的硅片进行酸处理；S2：对所述酸处理的硅片进行混酸处理；S3：对所述混酸处理的硅片进行有机溶剂处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
