[发明专利]一种硅片激光与碱液结合制绒工艺有效
| 申请号： | 201711059127.0 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109755102B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 李亚哲;黄志焕;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧;王宏宇;王鹏 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268;C30B33/10;C30B33/04 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅片激光与碱液结合制绒工艺，包括以下步骤：S1：对扩散后的硅片进行激光制绒；S2：对激光制绒后的硅片进行碱性溶液制绒。本发明的有益效果是采用按一定比例配置的玻璃腐蚀液去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃，为激光制绒做好准备，采用激光制绒工艺，其制作过程简便快捷，且不受使用环境限制；通过激光制绒，在光滑的硅片表面形成凹凸不平的熔融多晶硅，提高硅片表面的粗糙度，且采用激光制绒，制绒步骤简单，设备投入成本少；通过碱性溶液对激光制绒后的硅片进行湿法腐蚀，使得硅片表面的粗糙度进一步增大，使得保护胶不易脱落，具有较大的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 激光 结合 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种硅片激光与碱液结合制绒工艺，其特征在于：对激光制绒后的硅片进行碱性溶液制绒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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