[发明专利]竖直存储器装置有效
| 申请号： | 201711064262.4 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108022929B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 沈载株;曹盛纯;金智慧;辛京准 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/40 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种竖直存储器装置。该竖直存储器装置包括衬底，衬底具有单元阵列区和位于单元阵列区的外部的连接区。栅电极层堆叠在衬底的单元阵列区和连接区上，在连接区中形成台阶结构。沟道结构布置在单元阵列区中，在垂直于衬底的上表面的方向上延伸，同时穿过栅电极层。伪沟道结构布置在连接区中，与沟道结构在相同的方向上延伸，同时穿过形成台阶结构的栅电极层。第一半导体图案布置在沟道结构下方，并且第二半导体图案布置在伪沟道结构下方。第一半导体图案和第二半导体图案包括多晶半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 竖直 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种竖直存储器装置，包括：衬底，其具有单元阵列区和位于所述单元阵列区的外部的连接区；多个栅电极层，其堆叠在所述衬底的所述单元阵列区和所述连接区上，在所述连接区中形成台阶结构；多个沟道结构，其布置在所述单元阵列区中，在垂直于所述衬底的上表面的方向上延伸，同时穿过所述栅电极层；多个伪沟道结构，其布置在所述连接区中，与所述沟道结构在相同的方向上延伸，同时穿过形成所述台阶结构的所述栅电极层；多个第一半导体图案，其布置在所述沟道结构下方；以及多个第二半导体图案，其布置在所述伪沟道结构下方，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案包括多晶半导体材料。
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