[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201711064521.3 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108074988A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 绵贯真一;小松大士;中山知士;小仓卓;桑岛照弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/105 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 程晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件。对半导体制造装置的锗(Ge)污染被抑制。锗是硅半导体工艺中的异种材料。半导体器件被提供有包括n型锗层的Ge光电二极管和与n型锗层电容耦合的插塞。换句话说，Ge光电二极管的n型锗层和插塞彼此不直接接触，而是彼此电容耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 光电二极管 电容耦合 插塞 导体制造装置 硅半导体工艺 不直接接触 异种材料 污染 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：受光元件，所述受光元件包括锗层；以及插塞，所述插塞电容耦合到所述锗层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
