[发明专利]缺陷来源的分析方法及分析系统、缺陷检测装置

摘要

本发明涉及缺陷来源的分析方法及分析系统、缺陷检测装置，通过对晶元进行光学扫描得到目标缺陷的工艺层与之前若干个经过扫描的工艺层进行处理，依照由近及远顺序判断前若干个经过扫描的工艺层是否存在与所述目标缺陷匹配的特征缺陷，从而对所述目标缺陷的来源进行分析，以得到引入所述目标缺陷的工艺层(或对应的工艺)，即获得目标缺陷的来源，通过本发明提供的缺陷来源的分析方法及分析系统、缺陷检测装置，大大减少了人工判断气泡缺陷来源所花费的工时以及引起的人工误差，通过对气泡缺陷的来源的分析和监控，可以及时确定工艺或机台的异常情况，有助于减少不必要的损失。

主权项

一种缺陷来源的分析方法，其特征在于，包括：(1)对晶元进行光学扫描，得到目标缺陷的信息，将所述晶元所在的工艺层作为目标缺陷所在层；(2)判断目标缺陷所在层之前的第n个工艺层是否经过光学扫描，若判断是，则进行步骤(3)，若判断否，则使n的数值加1，再判断对应的工艺层是否经过光学扫描；(3)将所述目标缺陷的信息与目标缺陷所在层之前的第n个工艺层经光学扫描所获得的特征缺陷的信息进行比较，判断目标缺陷所在层之前的第n个工艺层是否存在与所述目标缺陷匹配的特征缺陷，若判断是，使n的数值加1，继续执行(2)～(3)的步骤；若判断否，则所述目标缺陷的来源为目标缺陷所在层之前的第(n‑1)个工艺层，所述分析结束；其中，n为大于或等于1的整数，步骤(2)和(3)中，n依照从小到大的顺序取值。