[发明专利]一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法

摘要

一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，涉及一种SiC纳米线的薄片的制备方法。本发明为解决目前层状复合材料的制备过程中SiC纳米线断裂严重、SiC纳米线因比表面积高而导致SiC纳米线极易团聚，难以在浆料中均匀分散的问题。方法：一、称料；二、SiC纳米线预分散；三、SiC纳米线低损伤球磨分散；四、除气处理；五、流延成型；六、干燥。本发明方法给出了一种制备低损伤、定向排列的SiC纳米线的薄片的方法，该方法工艺简单，SiC纳米线沿流延成型方向排列，能够解决SiC纳米线极易团聚的问题，对SiC纳米线损伤较小。本发明适用于制备SiC纳米线薄片。

主权项

一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，其特征在于：该方法按以下步骤进行；一、称料：按质量份数分别称取1～15份的SiC纳米线、20～50份的溶剂、0.01～0.5份的分散剂、5～20份的增塑剂和14.5～69.99份的粘结剂作为原料；二、SiC纳米线预分散：将步骤一称取的SiC纳米线、溶剂和分散剂放入球磨容器内，在超声波功率为200～400W下超声处理1～30min，得到SiC纳米线预分散浆料；所述球磨容器的体积是溶剂体积的3～20倍；三、SiC纳米线低损伤球磨分散：向盛有步骤二得到的SiC纳米线预分散浆料的球磨容器内加入步骤一称取的增塑剂和粘结剂，再加入直径为0.1～2mm球磨球，在转速为10～100r/min的条件下将浆料球磨72～120h，得到SiC纳米线均匀分布的浆料；四、除气处理：将步骤三得到的SiC纳米线均匀分布的浆料在低压环境和温度为20～30℃的条件下静置1～5min进行除气处理；五、流延成型：将步骤四除气处理后的浆料进行流延成型，得到流延生坯；六、干燥：将步骤五中所得的流延生坯在20～30℃的空气环境中干燥2～24h，即完成。