[发明专利]一种(Bi1/2有效

专利信息
申请号: 201711072282.6 申请日: 2017-11-03
公开(公告)号: CN107892567B 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 朱满康;郭志华;位秋梅;赵海燕;郑木鹏;侯育冬 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/622
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张立改
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种(Bi1/2K1/2)TiO3基二元无铅压电陶瓷及其制备,属于压电陶瓷领域。所用的原料为Bi2O3,K2CO3,TiO2,Sb2O3和MnCO3,实现了无铅陶瓷的制备。该体系在800‑900℃进行煅烧,1040‑1070℃进行烧结Bi(Mg2/3Sb1/3)O3的加入,成功了提高了KBT的压电性能,在准同型相界(MPB)x=1.5%附近,退极化温度Td=200℃,d33=104pC/N。在传感器,致动器,滤波器等方面具有巨大的应用潜力。
搜索关键词: 一种 bi base sub
【主权项】:
一种二元无铅压电陶瓷材料,其特征在于,通过引进类钙钛矿结构Bi(Mn2/3Sb1/3)O3,与Bi1/2K1/2TiO3形成二元无铅体系,通式为(1‑x)(Bi1/2K1/2)TiO3‑x Bi(Mn2/3Sb1/3)O3,x为0<x≤0.05。
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