[发明专利]存储器件及其设置导电线的方法有效
| 申请号： | 201711074876.0 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN108206033B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 金荣柱;金秀娥;金洙荣;元民佑;元福渊;权志锡;金荣浩;柳志学;尹炫喆;李硕宰;韩相根;姜雄大;权赫准;李范在 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 设置 导电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括存储器单元阵列区域的存储器件，所述存储器件包括：列选择信号线，形成在所述存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸；全局输入输出数据线，形成在所述存储器单元阵列区域中与所述第一列导电层不同的第二列导电层中并在列方向上延伸；以及电源线，形成在所述存储器单元阵列区域中所述第一列导电层和所述第二列导电层之间的屏蔽导电层中。
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