[发明专利]沟槽外延的填充方法

摘要

本发明公开了一种沟槽外延的填充方法，包括步骤：在半导体衬底表面形成由第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层叠加形成的硬质掩模层；光刻定义出沟槽的形成区域，进行刻蚀形成硬质掩模层开口；在硬质掩模层开口的侧面形成由第四氮化层组成的侧墙；对半导体衬底进行刻蚀形成沟槽；去除第三氧化层；形成牺牲氧化层并去除；去除第二氮化层和侧墙；进行外延生长形成沟槽外延层填充沟槽，利用所述第一氧化层不被横向刻蚀的特征使外延生长过程中所述沟槽外延层仅在所述沟槽的底部表面和侧面生长。本发明能防止相邻沟槽中外延层延伸到沟槽外并形成合并结构，从而能消除由于沟槽外延层的合并而产生的应力以及避免由此产生的位错，提高器件的性能。

主权项

1.一种沟槽外延的填充方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、在半导体衬底表面形成由第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层叠加形成的硬质掩模层；/n步骤二、光刻定义出沟槽的形成区域，采用刻蚀工艺依次去除所述沟槽的形成区域中的所述第三氧化层、所述第二氮化层和所述第一氧化层从而形成硬质掩模层开口；/n步骤三、在所述硬质掩模层开口的侧面形成由第四氮化层组成的侧墙；/n步骤四、以所述硬质掩模层为掩模对所述硬质掩模层开口底部的所述半导体衬底进行刻蚀形成所述沟槽；/n步骤五、去除所述第三氧化层，利用所述侧墙的侧面保护使在去除所述第三氧化层的过程中所述第一氧化层不被横向刻蚀；/n步骤六、在所述沟槽的侧面和底部表面形成牺牲氧化层，之后去除所述牺牲氧化层，利用所述侧墙的侧面保护使在去除所述述牺牲氧化层的过程中所述第一氧化层不被横向刻蚀；/n步骤七、同时去除所述第二氮化层和所述侧墙；/n步骤八、进行外延生长形成沟槽外延层填充所述沟槽，利用所述第一氧化层不被横向刻蚀的特征使外延生长过程中所述沟槽外延层仅在所述沟槽的底部表面和侧面生长。/n