[发明专利]光掩模、其制造方法以及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201711075875.8 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN108073033B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 小林周平 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;朱丽娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供光掩模、其制造方法以及显示装置的制造方法。抑制在对光掩模的转印用图案进行了细微化、高密度化时容易产生的转印像的角部的变圆。本发明的接近曝光用的光掩模在透明基板上具有用于转印到被转印体上的转印用图案。转印用图案包含:主图案;辅助图案,其与主图案隔开地配置在主图案具有的角部的附近。主图案在透明基板上形成有第1透光控制膜,辅助图案在透明基板上形成有第2透光控制膜,并且具有无法通过曝光而析像到被转印体上的尺寸。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种接近曝光用的光掩模,其在透明基板上具有用于转印到被转印体上的转印用图案,其特征在于,所述转印用图案包含:规则性排列的多个主图案;以及辅助图案,其与所述主图案隔开地配置于所述主图案分别具有的角部的附近,所述主图案在所述透明基板上形成有第1透光控制膜,所述辅助图案在所述透明基板上形成有第2透光控制膜,并且具有无法通过曝光而析像到所述被转印体上的尺寸。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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