[发明专利]腔室装卸载基片的方法有效
申请号: | 201711077605.0 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN109755163B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 张璐 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种腔室装载基片的方法,包括以下步骤:包括装载步骤和卸载步骤,所述装载步骤包括:S1,至少打开背吹气路上沿气体流向最靠近基座的背吹通道的控制阀,以使所述背吹气路中的至少部分被憋气体自所述基座的背吹通道释放至腔室中;S2,将基片放置在所述基座上并固定;S3,开通所述背吹气路并打开气源,以使气源通过所述背吹气路和所述背吹通道向所述基片的背面供气。本发明对基片背吹时可以降低通气瞬间的压力,从而可以解决通气瞬间压力过大造成基片位置发生偏移的问题。 | ||
搜索关键词: | 装卸 载基片 方法 | ||
【主权项】:
1.一种腔室装卸载基片的方法,其特征在于,包括装载步骤和卸载步骤,所述装载步骤包括:S1,至少打开背吹气路上沿气体流向最靠近基座的背吹通道的控制阀,以使所述背吹气路中的至少部分被憋气体自所述基座的背吹通道释放至所述腔室中;S2,将基片放置在所述基座上并固定;S3,开通所述背吹气路并打开气源,以使气源通过所述背吹气路和所述背吹通道向所述基片的背面供气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造