[发明专利]一种SRAM译码电路和方法有效
| 申请号： | 201711078317.7 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN107945826B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 聂玉庆;许悦 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/10 | 分类号： | G11C8/10;G11C11/413;G11C11/418 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM译码电路和方法，该方法包括：当所述SRAM的第一地址对应的存储空间存在坏点时，则确定存储空间可用的第二地址；建立所述第一地址与所述第二地址的映射关系，使得用户访问所述第一地址对应的存储空间时，基于所述映射关系访问所述第二地址对应的存储空间，使得用户在SRAM地址不可用的情况下，也能完成连续存储的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 译码 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种SRAM译码方法，其特征在于，该方法包括：当所述SRAM的第一地址对应的存储空间存在坏点时，则确定存储空间可用的第二地址；建立所述第一地址与所述第二地址的映射关系，使得用户访问所述第一地址对应的存储空间时，基于所述映射关系访问所述第二地址对应的存储空间。
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