[发明专利]一种太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201711079733.9 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN107994097B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 陈贤刚;杨苗;郁操;张津燕;徐希翔 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 11606 北京华进京联知识产权代理有限公司 | 代理人: | 哈达 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了太阳能电池的制备方法,包括:清洗硅片;将清洗后的硅片在恒温恒湿条件下,放置预设时间,使硅片表面形成氧化层;将放置后的硅片进行镀膜。本发明提供的太阳能电池的制备方法,把清洗后的硅片置于恒温恒湿条件下预设时间,使得硅片表面会自然氧化,即硅片表面的硅原子与空气中的氧原子结合,发生化学反应,形成氧化层,再取出硅片进行正常的镀膜流程;该氧化层既提高了硅片表面钝化效果,又不影响电导率,有利于后续镀膜制备高质量的本征层,从而利于提升硅片的少子寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:/n清洗硅片;/n将清洗后的硅片进行硅片表面氧化;/n将氧化后的硅片进行镀膜;/n其中,所述将清洗后的硅片进行硅片表面氧化,具体为:将清洗后的硅片置于湿度为30%~60%,温度为15~40℃的恒温恒湿箱内,放置30分钟到5小时,使硅片表面形成氧化层;/n其中,所述将氧化后的硅片进行镀膜,具体为:在硅片上形成本征非晶硅层、P型非晶硅层、N型非晶硅层,然后进行TCO溅射。/n
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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