[发明专利]衬底、半导体封装结构和制造工艺有效
| 申请号： | 201711084923.X | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108269777B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李志成;苏洹漳 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种衬底包含第一介电结构、第一电路层、第二介电结构和第二电路层。所述第一电路层内嵌于所述第一介电结构中，且并不从所述第一介电结构的第一表面突出。所述第二介电结构安置于所述第一介电结构的所述第一表面上。所述第二电路层内嵌于所述第二介电结构中，且电连接到所述第一电路层。所述第二电路层的第一表面大体上与所述第二介电结构的第一表面共面，且所述第一电路层的第一表面的表面粗糙度值不同于所述第二电路层的所述第一表面的表面粗糙度值。 | ||
| 搜索关键词： | 介电结构 电路层 第一表面 表面粗糙度 衬底 内嵌 半导体封装结构 制造工艺 电连接 安置 | ||
【主权项】：
1.一种衬底，其包括：第一介电结构；第一电路层，所述第一电路层内嵌于所述第一介电结构中并具有从所述第一介电结构露出的第一表面，其中所述第一电路层不从所述第一介电结构的第一表面突出；第二介电结构，所述第二介电结构安置于所述第一介电结构的所述第一表面上；以及第二电路层，所述第二电路层内嵌于所述第二介电结构中，其中所述第二电路层电连接到所述第一电路层，所述第二电路层的第一表面与所述第二介电结构的第一表面共面，且所述第一电路层的所述第一表面的表面粗糙度值不同于所述第二电路层的所述第一表面的表面粗糙度值。
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